Samsung: jako pierwszy wprowadza pamięci DRR4 wykonane w procesie 10 nm!

okładka

Firma Samsung oficjalnie ogłosiła, że rozpoczyna masową produkcję nowych pamięci DRAM - wykonanych w 10 nanometrowym procesie technologicznym. Nowe układy są szybsze, a przy tym zużywają mniej energii od obecnie dostępnych pamięci.

Południowokoreański producent poinformował również, że jako pierwszy na świecie rozpoczął produkcję 10 nm pamięci DRR4. Udało się to osiągnąć z wykorzystaniem obecnie stosowanych metod, bez potrzeby sięgania po technologię EUV (Extreme Ultra Violet).

Już niebawem na rynku pojawią się pierwsze kości DDR4 o pojemności 8 GB. Jesteście ciekawi co co przynosi użyty niższy proces technologiczny?

Pamięci Samsunga będą mogły pochwalić się większą szybkością i energooszczędnością od obecnie produkowanych pamięci DDR4 - wyprodukowanych w procesie 20 nanometrowym.

R E K L A M A

Według zapewnień producenta, nowe układy zapewnią transfer danych na poziomie 3200 Mb/s, co jest rezultatem o 30 procent wyższym względem tych wykonanych właśnie w wyższym procesie technologicznym – przypomnijmy, że prędkość kości 20 nanometrowych wynosi 2400 Mb/s. Z kolei zużycie energii spadnie od 10 do 20 procent.

Samsung zamierza produkować nowe, lepsze pamięci do desktopów i laptopów. Na rynku zbytu takie pamięci ukażą się w modułach 4 i 8 GB. Natomiast te skierowane dla serwerów będą występowały nawet w odmianie do 128 GB. Dodatkowo południowokoreańska firma zapowiedziała, że zamierza wprowadzić nowe pamięci DDR4 także w modułach przeznaczonych do smartfonów.

 

Udostępnij
Źródło: inf. własna

Wstecz

Pliki cookie ułatwiają świadczenie naszych usług. Korzystając z naszych usług, zgadzasz się, że używamy plików cookie.
Dalsze informacje Ok